模拟集成电路

目录:

一之MOS器件

二之单级放大器

三之差动放大器

四之电流镜偏置

五之共源电阻负载

六之共源二极管负载

七之共源电流源负载

八之共源电流反馈

九之线性区MOS负载

十之共源极负反馈负载

十一之源跟随器(共漏)

十二之共栅极

十三之共源共栅

十四之差动放大器

十五之电流镜

十六之偏置电路

十七之小技巧1

十八之小技巧2

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半导体器件

 

三、电流源负载的共源极放大器

先上图:

这是一个理想图。这是实际的电路图

一般的电流源使用一个栅压固定的MOS就可以实现。保证MOS管出于饱和状态。

可以看到,这时的电路图就可以进行小信号等效:

可以简单地地得到Av=-gm1*(ro1||ro2),

这个电路的优点:M2的输出阻抗与最小的|Vds|间的联系较小,就是阻抗和电压关系不大,但是可以较好的响应电流Ids,这保证了增益不会产生过大的

过驱电压。同时,增大W和L可以提高ro2,这样可以提高增益。

缺点:MOS的存在会在输出电压处带来较大的结电容。

至于Vb的确定在后面的反馈环路中会有具体介绍。

关于前面的几点解释:

W/L需要等比例增加,否只增加W,则过驱电压会增大。只增加L,则gm减小。这对于两个管子都成立。

但是这不是关键,可以考虑整体的增益表达式gm*ro1=(2(W/L)1*u*Cox*Id)*1/(λId),

可以看到增益随L的增加而增加,应为λ对L的依赖高于gm,具体的就要查看半导体器件。

同样的道理可以利用增大L来提高ro2,感觉这里推翻了前面的等比例增大的要求,这说明电路设计的准则就是需求高于一切,需求是啥,电路的标准

就在哪。