模拟集成电路

目录:

一之MOS器件

二之单级放大器

三之差动放大器

四之电流镜偏置

五之共源电阻负载

六之共源二极管负载

七之共源电流源负载

八之共源电流反馈

九之线性区MOS负载

十之共源极负反馈负载

十一之源跟随器(共漏)

十二之共栅极

十三之共源共栅

十四之差动放大器

十五之电流镜

十六之偏置电路

十七之小技巧1

十八之小技巧2

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半导体器件

 

八、共栅极

可以看到,共栅极的输入放在S,输出在D,G端提供基准电压。

可以看到,输入电压通过作用于栅压来调节电流来达到控制输出电压的目的。

使用广大信号分析可以得到的增益

Av=gm*(1+η)*Rd,这里的η指的是阈值电压随Vin的变化,η=gmb1/gm1

可以看到这里的增益为为正。

这里解释一下三极管区:个人感觉三极管区就是线性区。

接下来看一下这个结构的输入输出阻抗:

输入阻抗等于1/(gm+gmb),这说明体效应减小了输入阻抗,在一定程度上提高应用范围。

源端输入阻抗等于Rd/(gm+gmb)ro+1/(gm+gmb),这个输入阻抗说明漏端阻抗要除以(gm+gmb)*ro,这对于短沟道器件来说特别重要。

当Rd换成理想电流源时,输入阻抗无穷大。