模拟集成电路 | |
目录: 一之MOS器件 二之单级放大器 三之差动放大器 四之电流镜偏置 五之共源电阻负载 六之共源二极管负载 七之共源电流源负载 八之共源电流反馈 九之线性区MOS负载 十之共源极负反馈负载 十一之源跟随器(共漏) 十二之共栅极 十三之共源共栅 十四之差动放大器 十五之电流镜 十六之偏置电路 十七之小技巧1 十八之小技巧2 返回页: 类似页:
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八、共栅极可以看到,共栅极的输入放在S,输出在D,G端提供基准电压。 可以看到,输入电压通过作用于栅压来调节电流来达到控制输出电压的目的。 使用广大信号分析可以得到的增益 Av=gm*(1+η)*Rd,这里的η指的是阈值电压随Vin的变化,η=gmb1/gm1 可以看到这里的增益为为正。 这里解释一下三极管区:个人感觉三极管区就是线性区。 接下来看一下这个结构的输入输出阻抗: 输入阻抗等于1/(gm+gmb),这说明体效应减小了输入阻抗,在一定程度上提高应用范围。 源端输入阻抗等于Rd/(gm+gmb)ro+1/(gm+gmb),这个输入阻抗说明漏端阻抗要除以(gm+gmb)*ro,这对于短沟道器件来说特别重要。 当Rd换成理想电流源时,输入阻抗无穷大。
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