模拟集成电路 | |
目录: 一之MOS器件 二之单级放大器 三之差动放大器 四之电流镜偏置 五之共源电阻负载 六之共源二极管负载 七之共源电流源负载 八之共源电流反馈 九之线性区MOS负载 十之共源极负反馈负载 十一之源跟随器(共漏) 十二之共栅极 十三之共源共栅 十四之差动放大器 十五之电流镜 十六之偏置电路 十七之小技巧1 十八之小技巧2 返回页: 类似页:
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七、源跟随器(共漏极放大器)将Vout下移得到的简单源跟随器 大信号分析就略过了,看一下小信号分析: 不考虑调制效应, Vout=((Vin-Vout)*Gm-Vout*gmb)*Rs 这里要注意Vin和Vgs1的区别。 得到的增益Av= gmRs/(1+(gm+gmb)Rs) 可以看到随着Rs的增大,增益趋近于1,所以叫跟随器。当然,gmb的存在会使增益下降。 跟随器的作用就是减小小负载带来的影响。 源极电阻负反馈跟随器的的漏电流受输入的电压影响较大,漏电流的增大直接导致Vgs-Vth增大,进而影响Vout对Vin的跟随作用,一般可以采用电流源 负反馈来减小Vin对Ids的影响。 引入电流源后,非线性效应有所降低,使用S和B相连的方法也可以消除衬底的体效应(PMOS才有用),但是,Vth与源极电压之间的非线性关系还是会影响输入输出 特性。除此之外,直流电平产生的Vgs漂移也会消耗电压余度。 S跟随器的优势在于高的输入阻抗和中等的输出阻抗,可以实现小负载的过渡。 源跟随器的输出电阻并不大,限制了驱动能力,是的这种结构应用的并不多。 |
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