MOS器件

1、器件模型

在刚刚学习完了半导体器件物理，这部分的知识应该不陌生。

核心公式就2个：

饱和区：Ids=μCoxW/L*(Vgs-Vth)²

线性区：Ids=0.5μCoxW/L*(Vgs-Vth)Vds;

考虑到二级效应，这里引入λ（沟道调制系数）

饱和区变为：Ids=μCoxW/L*(Vgs-Vth)²（1+λVds）

gm就是Ids对Vgs的求导，也要相应的修正。

2、MOS小信号模型

这部分的知识设计的主要是电路知识，需要的是电路的基础。主要有以下四种模型：

1）只考虑跨导的作用，忽略其他因素。

2）考虑漏导和跨导

3）考虑跨导和沟道调制效应r0

4）考虑跨导，沟道调制效应，体效应带来的体导和衬底电压。

在小信号模型中，以上四个模型就是用于前期估算的标注模型。后面的电路分析也是基于这几个模型的。