目录：

第一章之相图

第二章之晶体生长

第三章之硅和锗的制备

第四章之材料基本性质

第五章之区熔提纯

第六章之杂质与缺陷

第七章之硅的外延生长

第八章之Ⅲ-Ⅴ化合物

第九章之Ⅱ-Ⅵ化合物

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实际问题的解决

1、相图模型

要领：记住某点的成分就是平行线与组分的交线，某点的组成组织物则要考虑整个的相变过程。

题1和题2的图：

2、生长模型

界面生长的动力学模型：

3、区熔提纯模型

补充：g为已经凝固的长度。s为熔体中的总杂质量。

4、掺杂量的计算