目录：

第一章之相图

第二章之晶体生长

第三章之硅和锗的制备

第四章之材料基本性质

第五章之区熔提纯

第六章之杂质与缺陷

第七章之硅的外延生长

第八章之Ⅲ-Ⅴ化合物

第九章之Ⅱ-Ⅵ化合物

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半导体材料的基本性质

1、半导体材料的认识过程

福特提出半导体，半导体各个主要性质的发现时间：

1833：电阻负温度系数特性，法拉第

1873：光电导效应，史密斯

1874：整流效应，布劳恩

1876：光生伏特效应，亚当斯

1879：霍尔效应，霍尔

量子力学带来的能带概念才解决了这个问题。

2、半导体材料的能带模型

波尔的波尔模型，能级图，电子的状态由主量子数决定。

禁带宽度决定了材料的导电模型。

3、键模型

原子的键模型构建了实际的电子分布。

4、本征半导体

电子和空穴相等。

5、掺杂过程中的补偿

在掺入了目标杂质后还要掺入另外类型的杂质来补偿。

6、载流子的类型和载流子的浓度

电中性：移动电子与固定受主离子的浓度和等于空穴与固定施主离子浓度的和。

质量作用定律：空穴电子浓度之积等于本征载流子浓度的平方。

7、硅片的掺杂

使用热扩散和离子注入技术可以实现，具体的流程就不说明。

8、电子和空穴能量分布情况

态密度函数和几率函数决定了电子和空穴的能量分布的情况。

几率函数：玻尔兹曼和费米狄拉克分布函数代表了非简并和简并函数的分布几率。