目录：

第一章之相图

第二章之晶体生长

第三章之硅和锗的制备

第四章之材料基本性质

第五章之区熔提纯

第六章之杂质与缺陷

第七章之硅的外延生长

第八章之Ⅲ-Ⅴ化合物

第九章之Ⅱ-Ⅵ化合物

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1、结构

闪锌矿和纤锌矿

2、特性

离子键的成分较大，禁带宽度较大。

3、应用

光电器件，宽禁带做蓝绿光，窄禁带做红外探测器。

4、缺陷反应

可以使用电子和空穴表示缺陷，利用电中性来平衡化学式，共有五个平衡常数来计算离子浓度。

5、补充：