目录：

第一节--半导体基础

第二节--二极管

第三节--晶体管

第四节--MOS电容

第五节--MOS管

第六节--纳米器件

第七节--结型场效应管

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理想模型

实际模型

金属半导体接触及结型场效应晶体管

1、金属半导体接触

（1）肖特基结

所谓的肖特基结，就是金属直接与半导体接触的能带图（金属功函数低于费米能级）。（就是MOS抽掉氧化层）

具体的推导过程和MOS电容比较类似，实际上是更简单。

（2）肖特基二极管

肖流（肖特基二极管电流）由半导体表面势垒决定，受电压调制。肖流为多子电流，主要有扩散、热离子发射和隧穿等模式。

（3）肖特基二极管与PN结二极管

PN结二极管为少子器件，多子器件。肖特基为多子器件，单级器件。

1）开关特性：少子器件开关速度与空间电荷区的响应有关，较慢；肖特基较快。

2）正向开启电压及反向饱和电流：肖特基具有较低的开启电压和较高的反向饱和电流。

（4）频率特性：没有扩散电容，只有结电容，（使用钳位二极管可以有效提高开关速度）

（5）欧姆接触：金属功函数高于费米能级，体现欧姆特性。

2、金属半导体场效应晶体管

（1）器件结构：

对于没有良好的氧化层的材料，金属半导体接触的场效应晶体管是一个不错的选择。

（2）工作原理：

利用金半接触中栅压对沟道的性质的控制，实现导通和夹断的转换。 原理与MOSFET类似，具体的过程在推导页中有介绍。

3、异质结MESFET和HEMT

（1）异质结器件

异质结器件中的载流子迁移率较高，又称HEMT（高电子迁移率晶体管）

（2）二维电子气

由于电子气受到二维的限制的电子。

（3）GaN体系HEMT

HEMT的关键是掺杂层和沟道层的异质结。

掺杂层为N型，沟道层的异质结使电子更快的输运，并且抑制空穴向S区的扩散，与异质结晶体管

类似，这里主要提高实际的迁移率。